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半導体デバイスの不良・故障解析技術

著者:二川清  / 上田修  / 山本秀和
出版社:日科技連出版社
出版日:2019年12月19日頃
ISBN10:4817196858
ISBN13:9784817196859
販売価格:3,630円
本書が対象とする半導体デバイス(以下デバイス)はシリコン集積回路(LSI)、パワーデバイス、化合物半導体発光デバイス、です。対象とする不具合は不良(製造工程中で不具合になったもの)と故障(使用中か信頼性試験により不具合になったもの)です。  対象読者は、半導体デバイスのプロセス・デバイス技術者、信頼性技術者、故障解析技術者、試験・解析・実験担当者、その他技術者全般、大学・大学院生と幅広い層を想定しています。そのため、基礎から最新情報までと幅広いレベルの内容を網羅しています。  また、それぞれの分野のある側面を気軽に知ることができるコラムを随所に入れました。さらに、日本科学技術連盟主催の「初級信頼性技術者」資格認定試験に出るような5択問題を第2〜4章の末尾に3問ずつ掲載しました。 第1章 半導体デバイスの不良・故障解析技術の概要 第2章 シリコン集積回路(LSI)の故障解析技術 第3章 パワーデバイスの不良・故障解析技術 第4章 化合物半導体発光デバイスの不良・故障解析技術
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