エピタキシャル成長のフロンティア

本書は最新のエピタキシャル成長に関わるトピックを結晶成長という視点で判りやすく解説する。対象材料はIII-V族、II-VI族化合物半導体、Si半導体、シリサイド、誘電体から有機分子まで多岐にわたる。また、層状成長から量子ドットや量子細線のようなナノ構造までを含め、エピタキシャル成長に関する主なトピックを網羅している。特に青色発光素子用材料として関心の強いGaN、金属と半導体を組み合わせた新素材である磁性半導体、エピタキシャル成長の視点であまり取り上げられたことのない超LSI材料のエピタキシー、有機分子薄膜の結晶として今後の発展が期待される巨大分子のエピタキシーに重点をおいたことが本書の大きな特徴である。本書によりエピタキシャル成長に関する最新トピックをことごとく知ることができるとともに、これらを通じてエピタキシャル成長の基礎知識を広く得ることができる。本シリーズ3巻「エピタキシャル成長のメカニズム」と合わせて読むことにより、その効果は倍増する。 1．格子不整合系のエピタキシャル成長の欠陥制御 1.1　低温堆積層を用いたサファイヤ基板上へのGaNエピタキシャル成長 1.2　エピタキシャル横方向成長 2．ナノ構造のエピタキシャル成長 2.1　量子細線 2.2　量子ドットとエピタキシー 3．磁性半導体のエピタキシャル成長 3.1　磁性半導体とは 3.2　希薄磁性半導体の物性 3.3　II-VI族希薄磁性半導体の成長と物性 3.4　III-V族希薄磁性半導体の成長と物理 3.5　IV-VI族希薄磁性半導体の成長と物理 3.6　希薄磁性半導体ナノ構造の成長 4．超LSI周辺におけるエピタキシー 4.1　シリサイド化固相成長 4.2　多結晶Si薄膜成長 4.3　アモルファス基板上の選択的単一核形成法 4.4　強誘電体の成長 5．プラズマ励起エピタキシー 5.1　原理，特徴と分類 5.2　プラズマ励起効果とプラズマ診断法 5.3　不純物ドーピングへの適用 5.4　GaN成長への適用 6．巨大分子のエピタキシャル成長 6.1　平面多環式化合物 6.2　フラーレン系 6.3　有機高分子系